1. MMBT4403M3T5G
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厂商型号

MMBT4403M3T5G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SOT-723 GP PNP TRANS

内部编号

277-MMBT4403M3T5G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:11985
1+¥1.7094
10+¥1.1692
100+¥0.4855
1000+¥0.3282
2500+¥0.2598
8000+¥0.2188
24000+¥0.2051
48000+¥0.1915
96000+¥0.1709
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:72000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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MMBT4403M3T5G产品详细规格

规格书 MMBT4403M3T5G datasheet 规格书
MMBT4403M3T5G
MMBT4403M3T5G datasheet 规格书
文档 Copper Wire 19/May/2010
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Copper Wire Change 19/May/2010
标准包装 8,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 750mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 2V
功率 - 最大 265mW
频率转换 200MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-723
供应商器件封装 SOT-723
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.6
最小直流电流增益 30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-723
最低工作温度 -55
最大功率耗散 640
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 200(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
供应商封装形式 SOT-723
最大集电极发射极电压 40
类型 PNP
引脚数 3
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 200MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 750mV @ 50mA, 500mA
标准包装 8,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 SOT-723
功率 - 最大 265mW
封装/外壳 SOT-723
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 8000
增益带宽产品fT 200 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 640 mW
直流集电极/增益hfe最小值 30 at 0.1 mA at 1 V, 60 at 1 mA at 1 V, 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 150 mA at 2 V, 20 at 500 mA at 2 V
直流电流增益hFE最大值 30 at 0.1 mA at 1 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 40 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 40 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 0.6 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.6 A
集电极 - 基极电压 40 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 200 MHz
功率耗散 0.64 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-723
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 200 MHz
集电极电流(DC ) 0.6 A
直流电流增益 30
系列 MMBT4403M3
品牌 ON Semiconductor
身高 0.5 mm
长度 1.2 mm
Pd - Power Dissipation 640 mW

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